STUDI SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC SPUTTERING MAGNETRON TAK SEIMBANG

Munasir, (2012) STUDI SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC SPUTTERING MAGNETRON TAK SEIMBANG.

Full text not available from this repository.
Official URL: http://elib.unikom.ac.id/gdl.php?mod=browse&op=rea...

Abstract

Telah dikembangkan film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan GaN diatas substrat sapphire (0001) dengan metode DC Sputtering Magnetron Tak Seimbang. Temperatur deposisi bervariasi antara 630-740oC dengan laju gas Argon (Ar) dan gas Nitrogen dibuat bervariasi. Studi sifat optik terhadap film tipis GaN dilakukan dengan pengukuran fotoluminensesi (PL) pada temperatur ruang. Dari hasil pengukuran PL ini menunjukkan bahwa, intensitas spektrum PL semakin tinggi dengan menaikkan temperatur deposisi, yang berarti kualitas film tipis GaN semakin baik. Film tipis GaN yang telah ditumbuhkan tersebut, mempunyai celah pita optik ~3,4 eV dan luminesensi dominan terjadi pada daerah biru (~2,7 eV). Film tipis GaN mempunyai FWHM ~0,421 eV untuk temperatur deposisi 740oC dan laju aliran Argon 50 sccm.

Item Type: Article
Subjects: Collections > Koleksi Perpustakaan Di Indonesia > Perpustakaan Di Indonesia > JBPTITBPP > S2-Theses > Physical And Mathematical Sci. > Physics > 2001
Divisions: Universitas Komputer Indonesia > Perpustakaan UNIKOM
Depositing User: M.Kom Taryana Suryana
Date Deposited: 16 Nov 2016 07:37
Last Modified: 16 Nov 2016 07:37
URI: https://repository.unikom.ac.id/id/eprint/2795

Actions (login required)

View Item View Item