Subandi, Ayub and Irman Idris (2014) FABRIKASI CHIP MASKED-READ ONLY MEMORY 112 BITS DENGAN TEKNOLOGI N-CHANNEL METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (N-MOSFET). KOMPUTIKA - Jurnal Sistem Komputer UNIKOM, 2 (2). ISSN 2252-9039
|
UNSPECIFIED
5.ayub-fabrikasi-chip.pdf - Published Version Download (1MB) | Preview |
Abstract
Pada penelitian ini, dilakukan fabrikasi rangkaian terintegrasi (IC=Integrated Circuit) Masked-ROM 112 bits dengan teknologi NMOS (n-channel Metal Oxide Semiconductor) berikut gerbang-gerbang logika. Gerbang logika yang dipakai adalah inverter, AND, dan NOR. Proses-proses yang digunakan diantaranya pencucian wafer, fotolitografi, oksidasi, deposisi polisilikon, dan metalisasi Aluminium. Dari hasil pengukuran terhadap divais yang dibuat diperoleh threshold voltage positif. Karakterisasi gerbang logika secara umum telah tercapai. Akan tetapi masked-ROM yang difabrikasi masih tidak sesuai dengan yang diharapkan.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | masked-rom, nmosfet, inverter, and, nor, pencucian wafer, fotolitografi, oksidasi, deposisi polisilikon, metalisasi aluminium, threshold voltage. |
| Subjects: | Jurnal Tercetak > KOMPUTIKA - Jurnal Sistem Komputer UNIKOM |
| Divisions: | Universitas Komputer Indonesia > Fakultas Teknik dan Ilmu Komputer > Teknik Komputer (D3) |
| Depositing User: | Admin Repository |
| Date Deposited: | 28 Nov 2016 12:05 |
| Last Modified: | 28 Nov 2016 12:05 |
| URI: | http://repository.unikom.ac.id/id/eprint/30333 |
Actions (login required)
 |
View Item |
