FABRIKASI CHIP MASKED-READ ONLY MEMORY 112 BITS DENGAN TEKNOLOGI N-CHANNEL METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (N-MOSFET)

Subandi, Ayub and Irman Idris, (2014) FABRIKASI CHIP MASKED-READ ONLY MEMORY 112 BITS DENGAN TEKNOLOGI N-CHANNEL METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (N-MOSFET). KOMPUTIKA - Jurnal Sistem Komputer UNIKOM, 2 (2). ISSN 2252-9039

[img]
Preview
UNSPECIFIED
5.ayub-fabrikasi-chip.pdf - Published Version

Download (1MB) | Preview
Official URL: http://komputika.tk.unikom.ac.id/jurnal/fabrikasi-...

Abstract

Pada penelitian ini, dilakukan fabrikasi rangkaian terintegrasi (IC=Integrated Circuit) Masked-ROM 112 bits dengan teknologi NMOS (n-channel Metal Oxide Semiconductor) berikut gerbang-gerbang logika. Gerbang logika yang dipakai adalah inverter, AND, dan NOR. Proses-proses yang digunakan diantaranya pencucian wafer, fotolitografi, oksidasi, deposisi polisilikon, dan metalisasi Aluminium. Dari hasil pengukuran terhadap divais yang dibuat diperoleh threshold voltage positif. Karakterisasi gerbang logika secara umum telah tercapai. Akan tetapi masked-ROM yang difabrikasi masih tidak sesuai dengan yang diharapkan.

Item Type: Article
Uncontrolled Keywords: masked-rom, nmosfet, inverter, and, nor, pencucian wafer, fotolitografi, oksidasi, deposisi polisilikon, metalisasi aluminium, threshold voltage.
Subjects: Jurnal Tercetak > KOMPUTIKA - Jurnal Sistem Komputer UNIKOM
Divisions: Universitas Komputer Indonesia > Fakultas Teknik dan Ilmu Komputer > Teknik Komputer (D3)
Depositing User: M.Kom Taryana Suryana
Date Deposited: 28 Nov 2016 12:05
Last Modified: 28 Nov 2016 12:05
URI: https://repository.unikom.ac.id/id/eprint/30333

Actions (login required)

View Item View Item