Darma, Yudi (2000) Teknik wafer bonding dan etsa selektif dalam fabrikaaasi wafer soi.
Full text not available from this repository.Abstract
Telah dilakukan proses wafer bonding yang mendukung fabrikaasi wafer soi khususnya dalam metoda eltran dan smartcut. Dihasilkan kualitas wafer bonding yang baik (stress>2x10pangkat5N/m2) dengan menggunakan gaya elektrostatik melalui elektroda karbon yang memiliki beda potensial sekitar 24 V pada temperatur 1150oC. Disisi lain dari pencelupan silikon dioksida dalam campuran asam H2)2:H2SO4 (1:1) yang dilanjutkan dengan pemanasan pada 1150oC(stress > 10 pangkat 5 N/m2). Disamping proses wafer bonding, proses thinning dan selective etching sangat mempengaruhi pembuatan wafer SOI. Pemilihan KOH 30% untuk proses thinning pada suhu 80oC menghasilkan laju pengikisan sekitar 2,4 um/menit dan campuran HF:H2O2(1:5) dipilih untuk etsa selektif si-berpori dan menghasilkan laju pengikissan 0,1388 um/menit pada suhu ruang dan 0,27 um/menit pada suhu 100oC.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Collections > Koleksi Perpustakaan Di Indonesia > Perpustakaan Di Indonesia > JBPTITBPP > S2-Theses > Physical And Mathematical Sci. > Physics > 2000 |
| Divisions: | Universitas Komputer Indonesia > Perpustakaan UNIKOM |
| Depositing User: | Admin Repository |
| Date Deposited: | 16 Nov 2016 07:34 |
| Last Modified: | 16 Nov 2016 07:34 |
| URI: | http://repository.unikom.ac.id/id/eprint/335 |
Actions (login required)
 |
View Item |
