Latununuwe, Altje (2012) Mobilitas Hole Dan Mekanisme Hamburan GaSb Tanpa Doping Yang Ditumbuhkan Dengan Teknik MOCVD.
Full text not available from this repository.Abstract
Variasi temperatur terhadap mobilitas parsial dan mobilitas efektif p-GaSb tanpa doping telah dianalisis secara teoritis dengan menggunakan aturan Matthiessen. Mobilitas efektif ini bergantung pada hamburan karena impuritas terionisasi, akustik, polar optik dan non-polar optik. Analisis menunjukkan bahwa mobilitas efektif p-GaSb adalah * 905 cm2/Vs dengan konsentrasi hole * 1016 cm-3 pada temperatur kamar. Variasi mobilitas terhadap konsentrasi hole p-GaSb pada 300K menunjukkan bahwa semakin besar konsentrasi , mobilitas semakin berkurang. Hasil analisis teoritis ini selanjutnya digunakan untuk menganalisis sifat elektronik lapisan tipis p-GaSb tanpa doping yang ditumbuhkan dengan metode MOCVD. Mobilitas dan konsentrasi hole film tipis pada 300K dikarakterisasi dengan menggunakan metode Hall-Van der Pauw. Perbandingan hasil pengukuran secara eksperimen dengan hasil analisis teoritis menunjukkan bahwa tingkat impuritas film tipis p-GaSb yang ditumbuhkan cukup tinggi sehingga dapat dikatakan bahwa keempat proses hamburan mempunyai pengaruh terhadap mobilitas hole.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Collections > Koleksi Perpustakaan Di Indonesia > Perpustakaan Di Indonesia > JBPTITBPP > S2-Theses > Physical And Mathematical Sci. > Physics > 2001 |
| Divisions: | Universitas Komputer Indonesia > Perpustakaan UNIKOM |
| Depositing User: | Admin Repository |
| Date Deposited: | 16 Nov 2016 07:36 |
| Last Modified: | 16 Nov 2016 07:36 |
| URI: | http://repository.unikom.ac.id/id/eprint/1271 |
Actions (login required)
 |
View Item |
