Zulirfan (2012) Studi Struktur Kristal Film Tipis Galliumantimony yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Reaktor Vertikal.
Full text not available from this repository.Abstract
Telah ditumbuhkan film tipis Galliumantimony (GaSb) diatas substrat SI-GaAs (semi insulating gallium arsenat) orientasi (100) menggunakan MOCVD (metalorganic chemical vapour deposition) reaktor vertikal. Sebagai precursor group III dan V masing-masing digunakan TMGa (trimethylgallium) dan TDMASb (tridismethylaminoantimony) dengan gas pembawa H2. Film ditumbuhkan pada range rasio V/III: 0,5 – 3,1 dan range temperatur penumbuhan 5200C sampai 5600C. Studi ini dilakukan untuk megetahui pengaruh kedua parameter tersebut terhadap struktur kristal GaSb. Film yang ditumbuhkan pada rasio V/III terendah memperlihatkan struktur poli-kristal, sedangkan pada kondisi lain film merupakan single-kristal GaSb dimana rasio V/III dinaikkan. Kedua parameter ini juga mempunyai pengaruh yang signifikan terhadap morfologi film dan laju penumbuhan film.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Collections > Koleksi Perpustakaan Di Indonesia > Perpustakaan Di Indonesia > JBPTITBPP > S2-Theses > Physical And Mathematical Sci. > Physics > 2001 |
| Divisions: | Universitas Komputer Indonesia > Perpustakaan UNIKOM |
| Depositing User: | Admin Repository |
| Date Deposited: | 16 Nov 2016 07:37 |
| Last Modified: | 16 Nov 2016 07:37 |
| URI: | http://repository.unikom.ac.id/id/eprint/2798 |
Actions (login required)
 |
View Item |
