Mobilitas Hole Dan Mekanisme Hamburan GaSb Tanpa Doping Yang Ditumbuhkan Dengan Teknik MOCVD

Latununuwe, Altje (2012) Mobilitas Hole Dan Mekanisme Hamburan GaSb Tanpa Doping Yang Ditumbuhkan Dengan Teknik MOCVD.

Full text not available from this repository.
Official URL: http://elib.unikom.ac.id/gdl.php?mod=browse&op=rea...

Abstract

Variasi temperatur terhadap mobilitas parsial dan mobilitas efektif p-GaSb tanpa doping telah dianalisis secara teoritis dengan menggunakan aturan Matthiessen. Mobilitas efektif ini bergantung pada hamburan karena impuritas terionisasi, akustik, polar optik dan non-polar optik. Analisis menunjukkan bahwa mobilitas efektif p-GaSb adalah * 905 cm2/Vs dengan konsentrasi hole * 1016 cm-3 pada temperatur kamar. Variasi mobilitas terhadap konsentrasi hole p-GaSb pada 300K menunjukkan bahwa semakin besar konsentrasi , mobilitas semakin berkurang. Hasil analisis teoritis ini selanjutnya digunakan untuk menganalisis sifat elektronik lapisan tipis p-GaSb tanpa doping yang ditumbuhkan dengan metode MOCVD. Mobilitas dan konsentrasi hole film tipis pada 300K dikarakterisasi dengan menggunakan metode Hall-Van der Pauw. Perbandingan hasil pengukuran secara eksperimen dengan hasil analisis teoritis menunjukkan bahwa tingkat impuritas film tipis p-GaSb yang ditumbuhkan cukup tinggi sehingga dapat dikatakan bahwa keempat proses hamburan mempunyai pengaruh terhadap mobilitas hole.

Item Type: Article
Subjects: Collections > Koleksi Perpustakaan Di Indonesia > Perpustakaan Di Indonesia > JBPTITBPP > S2-Theses > Physical And Mathematical Sci. > Physics > 2001
Divisions: Universitas Komputer Indonesia > Perpustakaan UNIKOM
Depositing User: M.Kom Taryana Suryana
Date Deposited: 16 Nov 2016 07:36
Last Modified: 16 Nov 2016 07:36
URI: https://repository.unikom.ac.id/id/eprint/1271

Actions (login required)

View Item View Item